Diodă semiconductoare

Dioda semiconductoare este un dispozitiv electronic constituit dintr-o joncțiune pn prevăzută cu contacte metalice la regiunile p și n și introdusă într-o capsulă din sticlă, metal, ceramică sau plastic. Regiunea p a joncțiunii constituie anodul diodei, iar joncțiunea n, catodul.[1] Dioda semiconductoare se caracterizează prin conductivitate unidirecțională, ca și dioda cu vid:

  • în cazul polarizării în sens direct permite trecerea unui curent mare (curent direct)
  • în cazul polarizării în sens invers permite trecerea unui curent foarte mic (curent invers sau curent rezidual)
Simbolul diodei

Ecuația caracteristică a diodei teoretice - ecuația ShockleyModificare

Comportarea diodei semiconductoare în cele două stări poate fi descrisă printr-o relație funcțională, care leagă curentul prin diodă, de tensiunea aplicată la bornele acesteia, cunoscută ca ecuația Shockley:[2][3]

 
  •   = curentul prin diodă în Amperi
  •   = este curentul de saturație inversă, care este aproape independent de tensiunea aplicată. Valoarea depinde de parametrii de realizare ai joncțiunii pn. Acesta se estimează în practică între   și   Amperi
  •   = tensiunea la bornele diodei, măsurată în volți
  •   = constanta lui Euler, o valoare aproximativă este  
  •   = sarcina electronului  C
  •   = Constanta Boltzmann   
  •   = Temperatura în grade Kelvin
  •   = este un coeficient care ține seama de efectul recombinării purtătorilor în regiunea de barieră.
Pentru diodele cu Germaniu valoarea lui N=1, iar pentru Siliciu, valoarea lui este N =2.
Termenul   descrie tensiunea produsă în joncțiunea P-N datorită acțiunii temperaturii, și poartă numele de tensiune termică sau  . La temperatura camerei, această tensiune este de aproximativ  = .
Simplificând se ajunge la:
 
unde
  •   = curentul prin diodă
  •   = este curentul de saturație inversă a joncțiunii ideale, între   și   Amperi
Dependența puternică a curentului rezidual de temperatură limitează temperatura maximă de lucru a diodelor uzuale. Pentru diodele cu Germaniu la o valoare aproximativă de  , iar pentru diodele cu Siliciu la o valoare aproximativă de  
  •   = constanta lui Euler, o valoare aproximativă este  
  •   = tensiunea aplicată la bornele diodei
  •   = este un coeficient care ține seama de efectul recombinării purtătorilor în regiunea de barieră. Pentru diodele cu Germaniu valoarea lui N=1, iar pentru Siliciu, valoarea lui este N =2.
  •   = tensiunea termică. La 300° K, se poate aproxima   =  .
Ecuația demonstrează că există o variație a căderii de tensiune la bornele diodei pentru diferite valori ale curenților prin diodă. Această variație este foarte mică, acesta fiind și motivul pentru care se consideră că, la bornele diodei, căderea de tensiune rămâne constantă, valorile uzuale pentru diodele cu siliciu aproximativ 0.6 V - 0.7 V, iar pentru diodele cu germaniu de la 0.1 V la 0.3 V.

Clasificare[1]Modificare

  • După materialul din care se realizează:
  • După caracteristicile joncțiunii:
    • - diodă redresoare
    • - diodă stabilizatoare de tensiune (diodă Zener)
    • - diodă de comutație
    • - diodă cu capacitate variabilă (varactor sau varicap)
    • - diodă tunel
    • - diodă diac
    • - diodă Gunn
 
Dioda cu germaniu


Caracteristicile diodelor semiconductoareModificare

Principalele caracteristici ale diodelor, trecute în cataloage, sunt următoarele:[4][5]


  - tensiunea inversă repetitivă maximă, este tensiunea maximă inversă la care poate rezista dioda, atunci când această tensiune este atinsă în mod repetat (măsurată în Volți). Ideal, această valoare ar fi infinită.

  sau   - tensiunea maximă inversă de curent continuu, este valoarea maximă a tensiunii la care dioda poate funcționa neîntrerupt, fără distrugerea acesteia (măsurată în Volți). Ideal, această valoare a fi infinită.

 
Diode redresoare

  - tensiunea (de polarizare) directă maximă, de obicei este specificată împreună cu valoarea curentului direct (măsurată în Volți). Ideal, această valoare ar fi zero: ideal, dioda nu ar prezenta niciun fel de opoziție în fața deplasării electronilor. În realitate, tensiunea directă este descrisă de ecuația diodei.

  - valoarea maximă (medie) a curentului direct, valoarea maximă medie a curentului pe care dioda o poate suportă la polarizarea directă (măsurat în Amperi). Această limitarea este practic o limitare termică: câtă căldură poate „suporta” joncțiunea P-N, având în vedere că puterea disipată reprezintă produsul dintre curent și tensiune, iar tensiunea de polarizare directă depinde atât de curent cât și de temperatura joncțiunii. Ideal, această valoare ar fi infinită.

  (vârf) - curentul de polarizare directă maxim, reprezintă curentul de vârf maxim pe care dioda îl poate conduce la polarizare directă, fără ca acest curent să ducă la distrugerea diodei (măsurat în Amperi). Din nou, această valoare este limitată de capacitatea termică a joncțiunii diodei, și este de obicei mult mai mare decât valoarea curentului mediu datorită inerției termice. Ideal, această valoare ar fi infinită.

 
Diode de comutație

  - puterea maximă disipată totală, reprezintă valoarea puterii (măsurată în Watt) pe care dioda o poate disipa fără ca această putere să ducă la distrugerea diodei. Această valoare este limitată de capacitatea termică a diodei. Ideal, această valoare ar fi infinită.

  - temperatura de funcționare a joncțiunii, reprezintă temperatura maximă admisă a joncțiunii P-N a diodei, valoare dată de obicei în   (măsurată în grade Celsius). Căldura reprezintă punctul critic al dispozitivelor semiconductoare: acestea trebuie menținute la o temperatură cât mai apropiată de temperatura camerei pentru funcționarea lor corectă și o durată de funcționare cât mai lungă.

 
Diode Zener

  - temperatura de depozitare, reprezintă valoarea temperaturii de stocare a diodelor (nepolarizate).

  - rezistența termică, reprezintă diferența dintre temperatura joncțiunii și temperatura aerului exterior diodei  , sau dintre joncțiune și contacte  , pentru o anumită putere disipată. Valoarea este exprimată în   (măsurată în grade Celsius per watt) . Ideal, această valoare ar fi zero, ceea ce ar înseamna că învelișul (carcasa) diodei ar fi un conductor și radiator termic perfect, fiind capabil să transfere energie sub formă de căldură dinspre joncțiune spre mediul exterior (sau spre contacte) fără nicio diferență de temperatură existentă în grosimea carcasei. O rezistență termică ridicată se traduce prin faptul că dioda va stoca o temperatură excesivă în jurul joncțiunii (punctul critic), în ciuda eforturilor susținute de răcire a mediului exterior diodei; acest lucru duce la limitarea puterii maxime disipate.

  - curentul maxim de polarizare inversă, reprezintă valoarea curentului prin diodă la polarizarea inversă (măsurat în submultipli ai unității standard Amper) și aplicarea tensiunii de polarizare inversă maximă de curent continuu ( ). Mai este cunoscut și sub numele de curent rezidual. Ideal, această valoare ar fi zero, deoarece o diodă perfectă ar bloca toți curenții atunci când este polarizată invers. În realitate, această valoarea este mică în comparație cu valoarea curentului maxim de polarizare directă.

 
Diode varicap

  - capacitatea tipică a joncțiunii, reprezintă capacitatea intrinsecă joncțiunii, datorită comportării zonei de golire precum un dielectric între anod și catod. Această valoare este de obicei foarte mică, de ordinul picofarazilor ( ).

  - timpul de revenire invers, reprezintă durata de timp necesară „blocării” diodei atunci când tensiunea la bornele sale alternează între polarizare directă și polarizare inversă. Ideal, această valoare ar fi zero: dioda se blochează imediat după inversarea polarității. Pentru o diodă redresoare tipică, timpul de revenire este de ordinul zecilor de microsecunde ( ); pentru o diodă de comutație rapidă, acest timp poate ajunge la doar câteva nanosecunde ( ).

ReferințeModificare

  1. ^ a b Stanciu, Nicolae; Dan Mircea; Georgeta Bătucă; Iulia Spânu; Ion Presură; Delia Poenaru; Nora Rebreanu (). Dicționar de Radio și Televiziune. Științifică și Enciclopedică. pp. 147–148. 
  2. ^ Florin Mihai Tufescu, Curs DCE - Dioda semiconductoare, Universitatea Alexandru Ioan Cuza,Iași, Romania (PDF), arhivat din original (PDF) la , accesat în  
  3. ^ Electronica analogică, Autor: Mihai Olteanu, arhivat din original la , accesat în  
  4. ^ Ianculescu, Radu (). Manualul radioamatorului incepator. Editura Tehnică. pp. 79 – 88. ISBN 973-31-0041-2. 
  5. ^ Petru, Alexandru Dan; Dan Mihai Luca; Adrian Albu; George Primejdie; Tudor Dunca (). Diode cu siliciu - Catalog. Editura Tehnică. 

BibliografieModificare

  • Dispozitive și circuite electronice, D. Dascălu, M. Profirescu, A. Rusu, I. Costea , 1982, Editura Didactică și Pedagogică
  • Catalog IPRS Băneasa-Tranzistoare, Diode, 1970-1971; tiparită la editura Tehnică în anul 1970
  • Diode si Tiristoare / Diodes and Thyristors; lucrare elaborată de I.P.R.S Băneasa/Institutul de Cercetări pentru Componente Electronice, 1976 – 1977
  • Diode cu siliciu - Catalog; Petru Alexandru Dan, Dan Mihai Luca, Adrian Albu, Tudor Dunca, George Primejdie, tiparită la editura Tehnică, 1986
  • Nicolae-George Drăgulănescu, Agenda radioelectronistului, Editura Tehnică, București, 1989

Vezi șiModificare

Legături externeModificare